N-kanals transistor IRFBF20S, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 8 Ohms. Hölje: TO-262 ( I2-PAK ). Hölje (enligt datablad): TO-262. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 490pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S Skydd: nej. IDss (min): 100uA. Id(imp): 6.8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 55pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 54W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 56 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 350 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43