N-kanals transistor IRFBE30, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1300pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 100uA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Kostnad): 310pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 125W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(av): 82 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 480 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 17:50