N-kanals transistor IRFBC40, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1300pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S Skydd: nej. IDss (min): 100uA. Id(imp): 25A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 160pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 125W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 55 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43