N-kanals transistor IRFBC30A, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 2.2 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 510pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 14A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 70pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 74W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 19 ns. Td(på): 9.8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 17:50