N-kanals transistor IRFB9N65A, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 8.5A. Resistans Rds På: 0.93 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 650V. Antal per fodral: 1. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Kanaltyp: N. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 167W. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43