N-kanals transistor IRFB7444PBF, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 2M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 4730pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: BLDC-motordriftapplikationer, batteridrivna kretsar, DC/DC och AC/DC-omvandlare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 770A. Kanaltyp: N. Kostnad): 680pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 143W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 115 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43