N-kanals transistor IRFB7440PBF, TO-220AB, 40V, 0.002 Ohms
Kvantitet
Enhetspris
1-4
42.43kr
5-9
29.36kr
10-19
27.36kr
20-49
26.21kr
50+
25.07kr
| +62 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 5 |
N-kanals transistor IRFB7440PBF, TO-220AB, 40V, 0.002 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V. Resistans Rds På: 0.002 Ohms. : Förbättrad. Avgift: 90nC. Dräneringskälla spänning: 40V. Dräneringsström: 208A. Effekt: 208W. Förpackning: tubus. Grindspänning: ±20V. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 172A/120A. Montering/installation: THT. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Typ av transistor: N-MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 29/12/2025, 11:58
IRFB7440PBF
18 parametrar
Hölje
TO-220AB
Drain-source spänning (Vds)
40V
Resistans Rds På
0.002 Ohms
Förbättrad
Avgift
90nC
Dräneringskälla spänning
40V
Dräneringsström
208A
Effekt
208W
Förpackning
tubus
Grindspänning
±20V
Kanaltyp
N
Max dräneringsström
172A/120A
Montering/installation
THT
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Typ av transistor
N-MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon (irf)