N-kanals transistor IRFB5615PBF, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1750pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: för klass-D ljudförstärkarapplikationer. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 155pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: IRFB5615PbF. Pd (effektförlust, max): 144W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 17.2ns. Td(på): 8.9 ns. Teknik: Digital Audio MOSFET. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43