N-kanals transistor IRFB52N15D, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2770pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare, plasmaskärm. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 230A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 590pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: FB52N15D. Pd (effektförlust, max): 230W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 28 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43