N-kanals transistor IRFB42N20D, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

N-kanals transistor IRFB42N20D, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
55.78kr
5-24
49.68kr
25-49
43.68kr
50-99
39.03kr
100+
34.98kr
Antal i lager: 13

N-kanals transistor IRFB42N20D, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.055 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 3430pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: SMPS, Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 530pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: FB42N20D. Pd (effektförlust, max): 330W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 29 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 220 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFB42N20D
32 parametrar
ID (T=100°C)
31A
ID (T=25°C)
44A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.055 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
3430pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
SMPS, Högfrekventa DC-DC-omvandlare
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
180A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
530pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
FB42N20D
Pd (effektförlust, max)
330W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
29 ns
Td(på)
18 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
220 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier