N-kanals transistor IRFB4229, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 38m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 250V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 4560pF. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Klass-D ljudförstärkare 300W-500W (halvbrygga). G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Kostnad): 390pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 330W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 30 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43