N-kanals transistor IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

N-kanals transistor IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
62.78kr
5-24
56.12kr
25-49
51.49kr
50-99
48.18kr
100+
42.77kr
Antal i lager: 40

N-kanals transistor IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 12m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 4530pF. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: PDP-omkopplare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 330A. Kanaltyp: N. Kostnad): 550pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 330W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 24 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 76 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFB4228
29 parametrar
ID (T=100°C)
59A
ID (T=25°C)
83A
Idss (max)
1mA
Resistans Rds På
12m Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
150V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
4530pF
Driftstemperatur
-40...+175°C
Funktion
PDP-omkopplare
G-S Skydd
nej
IDss (min)
20uA
Id(imp)
330A
Kanaltyp
N
Kostnad)
550pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
330W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
24 ns
Td(på)
18 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
76 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier