N-kanals transistor IRFB4115, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

N-kanals transistor IRFB4115, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
81.19kr
5-24
73.93kr
25-49
68.40kr
50-99
64.10kr
100+
56.71kr
Antal i lager: 156

N-kanals transistor IRFB4115, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0093 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 5270pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 420A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 490pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 380W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 18 ns. Td(på): 41 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 86 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Vikt: 1.99g. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFB4115
33 parametrar
ID (T=100°C)
74A
ID (T=25°C)
104A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.0093 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
150V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
5270pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching
G-S Skydd
nej
IDss (min)
20uA
Id(imp)
420A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
490pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
380W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
18 ns
Td(på)
41 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
86 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
3V
Vikt
1.99g
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies