N-kanals transistor IRFB4110PBF, 100V, 100V, 3.7m Ohms, TO-220, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, TO-220AB, 100V. Vdss (Drain to Source Voltage): 100V. Drain-source spänning (Vds): 100V. Resistans Rds På: 3.7m Ohms. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 9620pF. Drag: -. Driftstemperatur: -55...+175°C. Effekt: 370W. Funktion: PDP-omkopplare. G-S Skydd: nej. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. IDss (min): 20uA. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 180A. Id(imp): 670A. Information: -. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 670pF. Körspänning: 10V. MSL: -. Max dräneringsström: 120A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: THT. Pd (effektförlust, max): 370W. Polaritet: MOSFET N. Port-/källspänning Vgs: 20V. Rds on (max) @ id, vgs: 4.5m Ohms / 75A / 10V. RoHS: ja. Serie: HEXFET. Td(av): 25 ns. Td(på): 78 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Vikt: 1.99g. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43