N-kanals transistor IRFB4020, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

N-kanals transistor IRFB4020, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
26.43kr
5-24
22.72kr
25-49
20.11kr
50-99
18.28kr
100+
15.68kr
Antal i lager: 49

N-kanals transistor IRFB4020, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 80m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1200pF. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Nyckelparametrar optimerade för klass-D-ljud. G-S Skydd: nej. Grind/källa spänning (av) max.: 4.9V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 52A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 91pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 100W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 16 ns. Td(på): 7.8 ns. Teknik: Digital Audio MOSFET. Trr-diod (Min.): 82 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFB4020
32 parametrar
ID (T=100°C)
13A
ID (T=25°C)
18A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
80m Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1200pF
Driftstemperatur
-40...+175°C
Funktion
Nyckelparametrar optimerade för klass-D-ljud
G-S Skydd
nej
Grind/källa spänning (av) max.
4.9V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
52A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
91pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
100W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
16 ns
Td(på)
7.8 ns
Teknik
Digital Audio MOSFET
Trr-diod (Min.)
82 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier