N-kanals transistor IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

N-kanals transistor IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
25.34kr
5-24
21.98kr
25-49
19.29kr
50-99
17.53kr
100+
14.99kr
Antal i lager: 122

N-kanals transistor IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 80m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 800pF. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Nyckelparametrar optimerade för klass-D-ljud. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 51A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 74pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 80W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 12 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Digital Audio MOSFET. Trr-diod (Min.): 64 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFB4019
32 parametrar
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
17A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
80m Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
150V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
800pF
Driftstemperatur
-40...+175°C
Funktion
Nyckelparametrar optimerade för klass-D-ljud
G-S Skydd
nej
IDss (min)
20uA
Id(imp)
51A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
74pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
80W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
12 ns
Td(på)
7 ns
Teknik
Digital Audio MOSFET
Trr-diod (Min.)
64 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.9V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier