N-kanals transistor IRFB3607PBF, TO220AB
Kvantitet
Enhetspris
1-4
25.07kr
5-9
15.66kr
10-19
13.90kr
20-49
12.94kr
50+
12.13kr
| Antal i lager: 5 |
N-kanals transistor IRFB3607PBF, TO220AB. Hölje: TO220AB. : Förbättrad. Avgift: 56nC. Dräneringskälla spänning: 75V. Dräneringsström: 80A. Effekt: 140W. Förpackning: tubus. Grindspänning: ±20V. Montering/installation: THT. Polaritet: unipolär. Teknik: HEXFET®. Typ av transistor: N-MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 09/11/2025, 09:02
IRFB3607PBF
13 parametrar
Hölje
TO220AB
Förbättrad
Avgift
56nC
Dräneringskälla spänning
75V
Dräneringsström
80A
Effekt
140W
Förpackning
tubus
Grindspänning
±20V
Montering/installation
THT
Polaritet
unipolär
Teknik
HEXFET®
Typ av transistor
N-MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies