N-kanals transistor IRFB3306PBF, 60V, 3.3M Ohms, TO-220, 110A, 160A, 250uA, TO-220AB, 60V. Drain-source spänning (Vds): 60V. Resistans Rds På: 3.3M Ohms. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 4520pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Effekt: 230W. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 620A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 500pF. Max dräneringsström: 160A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 230W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 40 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 31 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43