N-kanals transistor IRFB3077PBF, 150A, 210A, 250uA, 0.0028 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V

N-kanals transistor IRFB3077PBF, 150A, 210A, 250uA, 0.0028 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
48.86kr
5-24
42.43kr
25-49
38.09kr
50-99
35.16kr
100+
30.22kr
Antal i lager: 103

N-kanals transistor IRFB3077PBF, 150A, 210A, 250uA, 0.0028 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0028 Ohm. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 9400pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 850A. Kanaltyp: N. Kostnad): 820pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 370W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Td(av): 69 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 42 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

IRFB3077PBF
29 parametrar
ID (T=100°C)
150A
ID (T=25°C)
210A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.0028 Ohm
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
75V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
9400pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning
G-S Skydd
nej
IDss (min)
20uA
Id(imp)
850A
Kanaltyp
N
Kostnad)
820pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
370W
Port-/källspänning Vgs
20V
Td(av)
69 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
42 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier