N-kanals transistor IRFB3006, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

N-kanals transistor IRFB3006, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
83.17kr
5-24
75.61kr
25-49
63.82kr
50+
57.31kr
Antal i lager: 31

N-kanals transistor IRFB3006, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0021 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 8970pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 1080A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1020pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 375W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Td(av): 118 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 44 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFB3006
29 parametrar
ID (T=100°C)
190A
ID (T=25°C)
270A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.0021 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
8970pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning
G-S Skydd
nej
IDss (min)
20uA
Id(imp)
1080A
Kanaltyp
N
Kostnad)
1020pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
375W
Port-/källspänning Vgs
20V
Td(av)
118 ns
Td(på)
16 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
44 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier