N-kanals transistor IRFB260N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

N-kanals transistor IRFB260N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
42.36kr
5-24
38.53kr
25-49
35.03kr
50+
31.55kr
Antal i lager: 45

N-kanals transistor IRFB260N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 4220pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: SMPS, Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 220A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 580pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: FB260N. Pd (effektförlust, max): 380W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 52 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFB260N
32 parametrar
ID (T=100°C)
40A
ID (T=25°C)
56A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.04 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
4220pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
SMPS, Högfrekventa DC-DC-omvandlare
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
220A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
580pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
FB260N
Pd (effektförlust, max)
380W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
52 ns
Td(på)
17 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
240 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier