N-kanals transistor IRFB23N15D, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

N-kanals transistor IRFB23N15D, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
34.41kr
5-24
31.10kr
25-49
28.50kr
50+
25.38kr
Antal i lager: 2

N-kanals transistor IRFB23N15D, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1200pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 92A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 260pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: B23N15D. Pd (effektförlust, max): 136W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 18 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFB23N15D
33 parametrar
ID (T=100°C)
17A
ID (T=25°C)
23A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.09 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
150V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
1200pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Högfrekventa DC-DC-omvandlare
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
92A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
260pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
B23N15D
Pd (effektförlust, max)
136W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
18 ns
Td(på)
10 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
150 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier