N-kanals transistor IRFB20N50K, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

N-kanals transistor IRFB20N50K, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
51.50kr
5-24
45.20kr
25-49
41.92kr
50-99
39.12kr
100+
34.85kr
Antal i lager: 15

N-kanals transistor IRFB20N50K, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.21 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 2870pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). G-S Skydd: nej. IDss (min): 50uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kostnad): 3480pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 280W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 45 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 520 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFB20N50K
29 parametrar
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.21 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
2870pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Switching Mode Power Supplies (SMPS)
G-S Skydd
nej
IDss (min)
50uA
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Kostnad)
3480pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
280W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
45 ns
Td(på)
22 ns
Teknik
SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
520 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier