N-kanals transistor IRFB11N50A, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V

N-kanals transistor IRFB11N50A, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
29.88kr
5-24
26.83kr
25-49
24.30kr
50-99
21.83kr
100+
17.73kr
Antal i lager: 15

N-kanals transistor IRFB11N50A, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.52 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1423pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Snabb switch, Låg grindladdning 52nC. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Kostnad): 208pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 170W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Td(av): 32 ns. Td(på): 14 ns. Trr-diod (Min.): 510 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFB11N50A
30 parametrar
ID (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
11A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.52 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1423pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Snabb switch, Låg grindladdning 52nC
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
44A
Kanaltyp
N
Kostnad)
208pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
170W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V
Td(av)
32 ns
Td(på)
14 ns
Trr-diod (Min.)
510 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay