N-kanals transistor IRF8707G, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 0.142 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 760pF. Driftstemperatur: -50...+150°C. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 88A. Kanaltyp: N. Kostnad): 170pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: IRF8707G. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Port-/källspänning Vgs: 4.5V. RoHS: ja. Td(av): 7.3 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 12 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43