N-kanals transistor IRF840AS, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263AB. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1018pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kostnad): 155pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 125W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 26 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 422 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43