N-kanals transistor IRF840, TO-220, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220AB, 500V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 63nC. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1300pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: 500V. Dräneringsström: 8A, 5.1A. Effekt: 125W. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 310pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd mot tillstånd: 0.85 Ohms. Pd (effektförlust, max): 125W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 49 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43