N-kanals transistor IRF820, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 360pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 92pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 50W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 33 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 260 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43