N-kanals transistor IRF8010S, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 12m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 3850pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 320A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 480pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 260W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 61 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 99 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43