N-kanals transistor IRF7807Z, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 770pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: integrerad krets för DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 88A. Kanaltyp: N. Kostnad): 190pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.5W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 10 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 31us. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43