N-kanals transistor IRF7807V, 6.6A, 8.3A, 100uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.017 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: diod. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: integrerad krets för DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 66A. Kanaltyp: N. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.5W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 11 ns. Td(på): 6.3 ns. Teknik: Power MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43