N-kanals transistor IRF7413Z, SO, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO-8, 30 v. Hölje: SO. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avgift: 9.5nC. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1210pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: 30V. Dräneringsström: 13A. Effekt: 2.5W. Funktion: Ultralåg grindimpedans. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 95. Kostnad): 270pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Motstånd mot tillstånd: 10M Ohms. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 11 ns. Td(på): 8.7 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Termisk motstånd: 50K/W. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43