N-kanals transistor IRF7413, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1600pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 12uA. Id(imp): 58A. Kanaltyp: N. Kostnad): 680pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.5W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 52 ns. Td(på): 8.6 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 74 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Chipcad. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 10:00