| Antal i lager: 127 |
N-kanals transistor IRF7341, 55V, SO8, SO-8
Kvantitet
Enhetspris
1-4
11.02kr
5-49
8.35kr
50-94
7.88kr
95+
6.96kr
| +1052 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 92 |
N-kanals transistor IRF7341, 55V, SO8, SO-8. Vdss (Drain to Source Voltage): 55V. Hölje: SO8. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 8. Drag: -. Funktion: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 4.7A. Information: -. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 95. Körspänning: -. MSL: -. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Monteringstyp: SMD. Pd (effektförlust, max): 2W. Polaritet: MOSFET N. RoHS: ja. Serie: HEXFET. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43
IRF7341
19 parametrar
Vdss (Drain to Source Voltage)
55V
Hölje
SO8
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Antal per fodral
2
Antal terminaler
8
Funktion
tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns
Grind/källa spänning Vgs max
-20V
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström)
4.7A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
95
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Monteringstyp
SMD
Pd (effektförlust, max)
2W
Polaritet
MOSFET N
RoHS
ja
Serie
HEXFET
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier