N-kanals transistor IRF7313, SO, SO-8
Kvantitet
Enhetspris
1-4
11.08kr
5-49
9.28kr
50-99
8.11kr
100-199
7.32kr
200+
6.32kr
| +5 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 1936 |
N-kanals transistor IRF7313, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 8. Avgift: 22nC. Dräneringskälla spänning: 30V. Dräneringsström: 6.5A. Effekt: 2W. Ekvivalenta: IRF7313PBF. Funktion: N MOSFET transistor. Grindspänning: 20V, ±20V. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Termisk motstånd: 62.5K/W. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:27
IRF7313
17 parametrar
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Antal per fodral
2
Antal terminaler
8
Avgift
22nC
Dräneringskälla spänning
30V
Dräneringsström
6.5A
Effekt
2W
Ekvivalenta
IRF7313PBF
Funktion
N MOSFET transistor
Grindspänning
20V, ±20V
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Termisk motstånd
62.5K/W
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies