N-kanals transistor IRF7303, SO, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO-8, 30 v. Hölje: SO. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 4.9A. Idss (max): 25uA. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 8. Avgift: 16.7nC. Dräneringskälla spänning: 30V. Dräneringsström: 4.9A. Effekt: 2W. Funktion: 0.05R. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2W. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Termisk motstånd: 62.5K/W. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 11:56