N-kanals transistor IRF7301PBF, SO8, 20V. Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): -. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Antal terminaler: 8. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 32 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 660pF. Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C: 4.1A/4.1A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9 ns. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: F7301. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:45