N-kanals transistor IRF7103TRPBF, SO8
Kvantitet
Enhetspris
1-4
15.74kr
5-9
9.85kr
10-19
8.16kr
20-49
7.30kr
50+
6.66kr
| +1366 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 25 |
N-kanals transistor IRF7103TRPBF, SO8. Hölje: SO8. Avgift: 12nC. Dräneringskälla spänning: 50V. Dräneringsström: 3A. Effekt: 2W. Grindspänning: 20V, ±20V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Termisk motstånd: 62.5K/W. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 22:22
IRF7103TRPBF
12 parametrar
Hölje
SO8
Avgift
12nC
Dräneringskälla spänning
50V
Dräneringsström
3A
Effekt
2W
Grindspänning
20V, ±20V
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Termisk motstånd
62.5K/W
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon (irf)