N-kanals transistor IRF710, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V

N-kanals transistor IRF710, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.14kr
5-24
10.29kr
25-49
9.03kr
50-99
8.13kr
100+
6.84kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 49

N-kanals transistor IRF710, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 400V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 170pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 6A. Kanaltyp: N. Kostnad): 34pF. Pd (effektförlust, max): 36W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 12 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:08

IRF710
28 parametrar
ID (T=100°C)
1.2A
ID (T=25°C)
2A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
3.6 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
400V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
170pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
6A
Kanaltyp
N
Kostnad)
34pF
Pd (effektförlust, max)
36W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
12 ns
Td(på)
8 ns
Teknik
Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
240 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IRF710