N-kanals transistor IRF644, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V

N-kanals transistor IRF644, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.18kr
5-24
19.44kr
25-49
16.88kr
50-99
15.38kr
100+
13.19kr
Antal i lager: 147

N-kanals transistor IRF644, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 250V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1300pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 56A. Kanaltyp: N. Kostnad): 330pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 125W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 53 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:08

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF644
30 parametrar
ID (T=100°C)
8.5A
ID (T=25°C)
14A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.28 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
250V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
1300pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
56A
Kanaltyp
N
Kostnad)
330pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
125W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
53 ns
Td(på)
11 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
250 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier