N-kanals transistor IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220
Kvantitet
Enhetspris
3-5
22.28kr
6-49
21.52kr
50-149
18.38kr
150-549
17.30kr
550+
16.14kr
| +210 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 10 |
N-kanals transistor IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220. Vdss (Drain to Source Voltage): 200V. Drain-source spänning (Vds): 200V. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO220. Drag: -. Effekt: 125W. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 18A. Information: -. Kanaltyp: N. Körspänning: 10V. MSL: -. Max dräneringsström: 18A. Monteringstyp: THT. Pd (effektförlust, max): 40W. Polaritet: MOSFET N. Serie: -. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Originalprodukt från tillverkaren: VISHAY IR. Minsta kvantitet: 3. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 08:35
IRF640PBF
16 parametrar
Vdss (Drain to Source Voltage)
200V
Drain-source spänning (Vds)
200V
Resistans Rds På
0.18 Ohms
Hölje
TO220
Effekt
125W
Grind/källa spänning Vgs max
-20V
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström)
18A
Kanaltyp
N
Körspänning
10V
Max dräneringsström
18A
Monteringstyp
THT
Pd (effektförlust, max)
40W
Polaritet
MOSFET N
Typ av transistor
MOSFET krafttransistor
Originalprodukt från tillverkaren
VISHAY IR
Minsta kvantitet
3