N-kanals transistor IRF630NPBF, TO-220AB, 200V. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): -. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 27 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 575pF. Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C: 9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.9 ns. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +175°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 74W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: IRF630N. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:06