N-kanals transistor IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

N-kanals transistor IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
16.15kr
5-24
13.94kr
25-49
12.44kr
50-99
10.91kr
100+
8.97kr
Antal i lager: 45

N-kanals transistor IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.052 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1400pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Ekvivalenta: IRF540NSPBF. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltyp: N. Kostnad): 330pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 140W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 44 ns. Td(på): 8.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:08

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF540NS
30 parametrar
ID (T=100°C)
25A
ID (T=25°C)
33A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.052 Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1400pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Ekvivalenta
IRF540NSPBF
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaltyp
N
Kostnad)
330pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
140W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
44 ns
Td(på)
8.2 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
170 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier