N-kanals transistor IRF540NPBF, 100V, 100V, 0.044 Ohms, TO220AB
Kvantitet
Enhetspris
5-9
11.83kr
10-49
10.79kr
50-249
9.60kr
250-1049
8.81kr
1050+
8.24kr
| +1386 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 196 |
N-kanals transistor IRF540NPBF, 100V, 100V, 0.044 Ohms, TO220AB. Vdss (Drain to Source Voltage): 100V. Drain-source spänning (Vds): 100V. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. Hölje: TO220AB. Drag: -. Effekt: 130W. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 33A. Information: -. Kanaltyp: N. Körspänning: 10V. MSL: -. Max dräneringsström: 33A. Monteringstyp: THT. Pd (effektförlust, max): 130W. Polaritet: MOSFET N. Serie: -. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon. Minsta kvantitet: 5. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 08:35
IRF540NPBF
16 parametrar
Vdss (Drain to Source Voltage)
100V
Drain-source spänning (Vds)
100V
Resistans Rds På
0.044 Ohms
Hölje
TO220AB
Effekt
130W
Grind/källa spänning Vgs max
-20V
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström)
33A
Kanaltyp
N
Körspänning
10V
Max dräneringsström
33A
Monteringstyp
THT
Pd (effektförlust, max)
130W
Polaritet
MOSFET N
Typ av transistor
MOSFET krafttransistor
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon
Minsta kvantitet
5