N-kanals transistor IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB
Kvantitet
Enhetspris
5-9
14.64kr
10-49
14.16kr
50-199
12.63kr
200-799
11.69kr
800+
10.67kr
| +131 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 47 |
N-kanals transistor IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB. Vdss (Drain to Source Voltage): 100V. Drain-source spänning (Vds): 100V. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. Hölje: TO220AB. Drag: -. Effekt: 75W. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 14A. Information: -. Kanaltyp: N. Körspänning: 10V. MSL: -. Max dräneringsström: 14A. Monteringstyp: THT. Pd (effektförlust, max): 79W. Polaritet: MOSFET N. Serie: -. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Originalprodukt från tillverkaren: VISHAY IR. Minsta kvantitet: 5. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 08:35
IRF530PBF
16 parametrar
Vdss (Drain to Source Voltage)
100V
Drain-source spänning (Vds)
100V
Resistans Rds På
0.16 Ohms
Hölje
TO220AB
Effekt
75W
Grind/källa spänning Vgs max
-20V
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström)
14A
Kanaltyp
N
Körspänning
10V
Max dräneringsström
14A
Monteringstyp
THT
Pd (effektförlust, max)
79W
Polaritet
MOSFET N
Typ av transistor
MOSFET krafttransistor
Originalprodukt från tillverkaren
VISHAY IR
Minsta kvantitet
5