N-kanals transistor IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V

N-kanals transistor IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.32kr
5-24
10.44kr
25-49
9.16kr
50-99
8.26kr
100+
6.78kr
+25 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 137

N-kanals transistor IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 16.7nC. Avloppsskydd: diod. Bostadsmotstånd: 3.1K/W. C(tum): 360pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 100V. Dräneringsström: 9.7A. Effekt: 48W. Funktion: Låg inmatningsavgift. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 37A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 150pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 60W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 19 ns. Td(på): 8.8 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF520
38 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=100°C)
6.5A
ID (T=25°C)
9.2A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.27 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
16.7nC
Avloppsskydd
diod
Bostadsmotstånd
3.1K/W
C(tum)
360pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
100V
Dräneringsström
9.7A
Effekt
48W
Funktion
Låg inmatningsavgift
G-S Skydd
nej
Grindspänning
20V, ±20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
37A
Kanaltyp
N
Konditionering
tubus
Kostnad)
150pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
60W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
19 ns
Td(på)
8.8 ns
Teknik
STripFET II POWER MOSFET
Trr-diod (Min.)
110 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay