N-kanals transistor IRF510, TO-220, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220AB, 100V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Avgift: 8.3nC. Avloppsskydd: diod. C(tum): 180pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 100V. Dräneringsström: 4A, 5.6A. Effekt: 43W. Funktion: -. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 81pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd mot tillstånd: 0.54 Ohms. Pd (effektförlust, max): 43W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 15 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00