N-kanals transistor IRF450, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V

N-kanals transistor IRF450, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
337.96kr
5-9
321.86kr
10-19
299.37kr
20+
283.79kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

N-kanals transistor IRF450, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. ID (T=100°C): 7.75A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204A ). Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 2700pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Repetitive Avalanche Ratings. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kostnad): 600pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 150W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 170 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET transistor. Trr-diod (Min.): 1600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF450
29 parametrar
ID (T=100°C)
7.75A
ID (T=25°C)
12A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.4 Ohms
Hölje
TO-3 ( TO-204 )
Hölje (enligt datablad)
TO-3 ( TO-204A )
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
2700pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Repetitive Avalanche Ratings
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
48A
Kanaltyp
N
Kostnad)
600pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
150W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
170 ns
Td(på)
35 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET transistor
Trr-diod (Min.)
1600 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier