N-kanals transistor IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V

N-kanals transistor IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
25.72kr
5-24
22.36kr
25-49
19.96kr
50+
17.55kr
Antal i lager: 39

N-kanals transistor IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 4.7M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 20V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 2980pF. Funktion: Högfrekvent isolerad DC-DC. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 440A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1770pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 120W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 17 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 48 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF3711S
30 parametrar
ID (T=100°C)
69A
ID (T=25°C)
110A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
4.7M Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spänning Vds(max)
20V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
2980pF
Funktion
Högfrekvent isolerad DC-DC
G-S Skydd
nej
IDss (min)
20uA
Id(imp)
440A
Kanaltyp
N
Kostnad)
1770pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
120W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
17 ns
Td(på)
12 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
48 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier