N-kanals transistor IRF3710Z, TO220, TO220AB
Kvantitet
Enhetspris
1-9
38.60kr
10-49
24.12kr
50-99
22.72kr
100-199
22.21kr
200+
21.69kr
| Antal i lager: 5 |
N-kanals transistor IRF3710Z, TO220, TO220AB. Hölje: TO220, TO220AB. Avgift: 82nC. Bostadsmotstånd: 920mK/W. Dräneringskälla spänning: 100V. Dräneringsström: 59A. Effekt: 160W. Grindspänning: 20V, ±20V. Konditionering: tubus. Montering/installation: THT. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Typ av transistor: N-MOSFET, HEXFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:15
IRF3710Z
14 parametrar
Hölje
TO220, TO220AB
Avgift
82nC
Bostadsmotstånd
920mK/W
Dräneringskälla spänning
100V
Dräneringsström
59A
Effekt
160W
Grindspänning
20V, ±20V
Konditionering
tubus
Montering/installation
THT
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Typ av transistor
N-MOSFET, HEXFET
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon (irf)